纳米晶抗干扰材料纳米晶屏蔽片纳米晶隔磁片纳米晶吸波材料FPC触控屏无线充专用纳米晶材料

纳米晶抗干扰材料纳米晶屏蔽片纳米晶隔磁片纳米晶吸波材料FPC触控屏无线充专用纳米晶材料

纳米晶吸波材料，厚度0.03mm超薄，导磁率30000u,是一款高导磁率的高级屏蔽材料，卷材宽40 60 70，卷材，长2000M

随着通信技术及电子技术的快速发展，手机等众多智能终端设备实现了无线充电及快捷支付等功能。对于智能手机而言，更加轻便且功能全面则更加容易受到消费者的青睐，以手机接收端为例，目前市场已经出现用非晶纳米晶作为磁屏蔽片，将WPC，NFC、E-PAY等功能集成在一起的一体化屏蔽方案，进而简化设计方式，降低整机厚度。

但是在实际使用的过程中，屏蔽片不仅起到隔离磁场的作用，对NFC功能的谐振频点也存在较大的影响，并且，屏蔽片越接近于NFC天线，磁导率越高，谐振频率越趋于低频。为了不断降低屏蔽片的厚度，磁导率必须做高，而屏蔽片又紧贴天线，导致NFC异常敏感，进而失效。

发明内容

为此，本发明的目的在于提供一种在满足使用所需充电效率条件下，降低屏蔽片近NFC天线侧敏感度的磁屏蔽片迭片结构。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的。

一种应用于无线充电和NFC一体化的磁屏蔽片迭片结构，设置于NFC天线下方，所述磁屏蔽片迭片结构包括至少两层迭加的屏蔽片，且所述屏蔽片的磁导率由靠近NFC天线的一侧逐渐向远离NFC天线的一侧以8％40％的比例增加。

进一步地，所述任意相邻屏蔽片之间通过双面胶粘接在一起。

请参阅图1所示，图1为本发明屏蔽片的迭片结构示意图。该迭片结构主要包括如下几个部分：离型膜1、双面胶2、保护膜3和屏蔽片4。离型膜1位于 上层，保护膜3位于 下层，屏蔽片4包括有五层，其分别从上向下依次为N-1、N-2、N-3、N-4和N-5，其中N-1到N-5的磁导率逐渐增加。

其中N-1与离型膜1之间、N-5与保护膜3之间以及任意相邻的两屏蔽片4(N-1与N-2、N-2与N-3、N-3与N-4、N-4与N-5)之间分别通过双面胶2粘接在一起。

需要说明的是，本实施例中的屏蔽片4可以是全部是非晶纳米晶屏蔽片；也可以全部都是铁氧体屏蔽片；也可以是由非晶纳米晶屏蔽片与铁氧体屏蔽片组合而成的结构，但是都需要保证低导磁的屏蔽片靠近NFC天线，高导磁的屏蔽片远离NFC天线。

如图2所示，图2为本发明非晶屏蔽片实物图。本实施例以非晶纳米晶屏蔽片为例，其对应的实物照片参照图2所示。

如图3所示，图3为本发明不同工艺下的屏蔽片表层显微结构。本实施例中的屏蔽片为非晶纳米晶，其对应由五种工艺制成，其对应的显微结构见图3中N-1，N-2，N-3，N-4，N-5。

由图3中照片可以看出各工艺下非晶纳米晶屏蔽片的破碎程度存在明显的差异。

本实施例将以这五种不同工艺制成的非晶纳米晶屏蔽片按照图1的迭片结构进行迭加，采用表1的各种迭片方式进行测试，以选择出 要求的迭加方案。