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图示仪 IGBT击穿电压测试源测单元E系列

图示仪类产品：图示仪 IGBT击穿电压测试源测单元E系列，欢迎选购！

价加格	¥ 88888.00
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可售量	1000 台

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供应商：武汉普赛斯仪表有限公司
联系姓名：陶芬
电话号码：18140663476
固定电话： 027-87993690
经营模式：生产厂家
主营产品：数字万用表, 源测单元, 数字源表, 源表,
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尺寸 :	19英寸1U机箱	电流范围 :	0~100mA
加工定制 :	否	电压范围 :	0~3000V
适用范围 :	igbt，防雷二极管，压敏电阻	品牌 :	普赛斯仪表
类型 :	半导体图示仪	型号 :	E100/E200/E300

产品详情

本图示仪类产品：图示仪 IGBT击穿电压测试源测单元E系列，由湖北武汉市供应商武汉普赛斯仪表有限公司供应，详细信息如下：

IGBT击穿电压测试源测单元E系列具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。

设备可应用于IGBT击穿电压测试、IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源、防雷二极管耐压测试、压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

技术指标

电压性能参数：

电压	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
100V	10mV	0.1%±40mV	10mV	0.1%±40mV
600V	60mV	0.1%±100mV	60mV	0.1%±100mV
1000V	100mV	0.1%±300mV	100mV	0.1%±300mV
1500V	150mV	0.1%±400mV	150mV	0.1%±400mV
2200V	220mV	0.1%±700mV	200mV	0.1%±700mV
3000V	300mV	0.1%±900mV	300mV	0.1%±900mV

电流性能参数：

电流	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
1uA	100pA	0.1%±1nA	100pA	0.1%±1nA
10uA	1nA	0.1%±5nA	1nA	0.1%±5nA
100uA	10nA	0.1%±50nA	10nA	0.1%±50nA
1mA	100nA	0.1%±300nA	100nA	0.1%±300nA
10mA	1uA	0.1%±5uA	1uA	0.1%±5uA
100mA	10uA	0.1%±10uA	10uA	0.1%±10uA

Z大输出功率：300W，3000V/100mA（不同型号有差异）；

输出电压建立时间：<5ms；

输出接口：KHV（三同轴），支持四线测量；

扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；

通信接口：RS232、以太网；

保护：支持急停；

触发：支持trig IN及trigout；

尺寸：19英寸1U机箱；

订货信息

型号	E100	E200	E300
源精度	0.1%	0.1%	0.1%
测量精度	0.1%	0.1%	0.1%
Z大功率	100W	220W	300W
Z小电压量程	100V	100V	100V
Z大电压量程	1000V	2200V	3000V
Z小电流量程	1uA	1uA	1uA
Z大电流量程	100mA	100mA	100mA

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关键词：图示仪 图示仪 IGBT击穿电压测试源测单元E系列 武汉普赛斯仪表有限公司

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